Bộ nhớ HBM4 tăng gấp đôi tốc độ vào năm 2026 – giao diện 2048-bit để cách mạng hóa thị trường trí tuệ nhân tạo và HPC: Báo cáo

HBM3E được thiết lập để có tuổi thọ dài.

Hôm nay, TrendForce đã làm sáng tỏ tương lai của công nghệ bộ nhớ băng thông cao (HBM) và đặc biệt là HBM4, dự kiến ​​sẽ ra mắt vào năm 2026. Công nghệ sắp ra mắt này hứa hẹn sẽ mở rộng giao diện của nó lên 2048 bit và thay đổi đáng kể kiến ​​trúc. TrendForce tuyên bố rằng HBM4 sẽ chuyển hướng đáng kể từ các công nghệ DRAM được tiêu chuẩn hóa truyền thống sang các giải pháp tùy chỉnh hơn.

HBM4 sẽ là thiết bị đầu tiên sử dụng công nghệ xử lý logic 12nm cho khuôn cơ bản, công nghệ mà các xưởng đúc chứ không phải nhà sản xuất DRAM giờ đây sẽ thực hiện. Sự phát triển này sẽ là nỗ lực hợp tác giữa các xưởng đúc và nhà cung cấp bộ nhớ, về cơ bản có nghĩa là mối quan hệ cộng sinh để thúc đẩy công nghệ bộ nhớ tốc độ cao. Hiệu suất tăng lên và bộ tính năng nâng cao của HBM4 được thiết kế để đáp ứng nhu cầu của bộ xử lý tương lai về trí tuệ nhân tạo (AI) và điện toán hiệu năng cao (HPC) từ các công ty chủ chốt trong ngành như AMD, Nvidia và Intel.

Sự thay đổi theo hướng tùy biến trong thị trường HBM4 là một khía cạnh quan trọng được TrendForce xác định. Điều này khác với cách tiếp cận tiêu chuẩn, truyền thống của DRAM hàng hóa, điều này báo hiệu một sự thay đổi lớn trong ngành. Người mua ngày càng tìm kiếm các thông số kỹ thuật tùy chỉnh và khám phá các lựa chọn cải tiến, chẳng hạn như xếp HBM trực tiếp lên trên các hệ thống trên chip (SoC).

Xu hướng tùy chỉnh này dự kiến ​​sẽ mang lại chiến lược thiết kế và giá cả mới cho ngành HBM. Khi công nghệ bộ nhớ trở nên chuyên biệt hơn và phù hợp với các nhu cầu cụ thể, nó mở đường cho kỷ nguyên công nghệ HBM mới được đặc trưng bởi sự đổi mới, chuyên môn hóa và thoát khỏi cách tiếp cận một kích cỡ phù hợp với tất cả ngày nay. Sự phát triển này trong HBM4 và hơn thế nữa cho thấy bối cảnh năng động và tiến bộ nhanh chóng trong công nghệ bộ nhớ tốc độ cao.

Tính năng của HBM4

Một tính năng nổi bật khác của HBM4 là sự chuyển đổi từ ngăn xếp 12 lớp (12Hi) hiện tại sang ngăn xếp 16 lớp (16Hi) tiên tiến hơn, tăng dung lượng mô-đun bộ nhớ. Quá trình chuyển đổi này, dự kiến ​​hoàn thành vào năm 2027, sẽ đòi hỏi phải sử dụng các kỹ thuật liên kết lai mới để tăng số lớp trong khi vẫn duy trì tính toàn vẹn của ngăn xếp bộ nhớ.

Nhưng mặc dù HBM4 sẽ cách mạng hóa thị trường bộ nhớ nhưng vẫn còn nhiều năm nữa. Kết quả là HBM3E sẽ có tuổi thọ khá dài.